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      漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)：

      600

      导通电（diàn）阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      65

      导（dǎo）通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      70

      最大（dà）漏（lòu）极电流Id(on)(A)：

      47

      通道极性：

      N沟道

      封装/温（wēn）度(℃)：

      TO-247-3L/-55~125

      描（miáo）述：

      600V,70mΩ,47A,N沟道基（jī）于超（chāo）级结技术的功率MOSFET


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